IT之家 12 月 9 日音尘，韩媒 SEDaily 当地时刻本月 6 日征引音尘东说念主士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的建造，并从上月运转将该期间飘摇至位于平泽 1 号工场的量产线上。

参考IT之家此前报说念，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 外洋固态电路会议上先容 4XX 层 1Tb TLC NAND。该居品取舍晶圆键合期间，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速度达 5.6Gb/s。

韩媒合计三星 V10 NAND 将取舍三堆栈结构。据悉该闪存在建造阶段的良率为 10%~20%，而量产的门槛是 60%。三星电子正起劲在量产线上进步第 10 代 V-NAND 良率，若是情况告成将于 2025 下半年得回 PRA 量产就绪许可，最快来岁二季度末就可能参加量产阶段。

凭证 TrendForce 集邦磋商数据开云体育，三星电子在 2024 年三季度陆续蝉联第一大 NAND 闪存原厂。而除积极研发外该企业还在通过引申先进产能以进一步踏实卓越地位：三星洽商来岁在平泽 P4 新增每月 3~4 万片晶圆的 V9 NAND 产能；中国西安工场的制程升级职责也在鼓舞。

发布于：山东省